9月7日，是长鑫存储忙碌的一天。当日，长鑫存储宣布其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，实现全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。当晚，小米举办秋季旗舰新品发布会，搭载长鑫LPDDR6的小米旗舰AI SoC玄戒O3正式亮相，除首发小米18 Fold外，也将同步搭载于小米平板9 ProMax。当天下午，长鑫科技（长鑫存储的上市主体）还召开了上市后首场业绩说明会。

从产品参数来看，此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295 Ball FBGA全新封装。该芯片最高传输速率可达12800Mbps，与速率10667Mbps的LPDDR5X相比，带宽提升60%；功耗相比上一代的LPDDR5X降低20%，能够有效延长移动设备的续航。

在设计上，长鑫LPDDR6采用双子通道架构，常规模式下配置24bit原生I/O；在能效管理方面，采用双轨DVFS的设计，提供了硬件层面的电压分离能力。同时，LPDDR6引入动态效率模式，实现策略调度。这些功能支持LPDDR6在不同负载下始终保持最佳能效比，为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了灵活的内存支撑。在可靠性方面，LPDDR6在原有Link ECC、On Die ECC基础上，新增每行激活计数（PRAC）防止行锤攻击，以及内建自测试（MBIST）等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。

在当天下午举行的2026年半年度业绩说明会上，长鑫科技总经理赵纶回答投资者提问时表示，LPDDR系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升，已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次LPDDR6首发，是公司与中国科技产业链伙伴协同创新的代表性成果。公司将秉持开放合作的态度，与产业链伙伴携手，持续为客户和消费者创造价值。

当晚，小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在小米秋季旗舰新品发布会现场表示，玄戒O3行业首发支持LPDDR6，内存位宽提升至4×24bit，内存带宽达到113.8 GB/s，较上一代提升48%。基于顶层金属走线技术、玄戒统一融合总线架构、DDR数据预取等创新技术，玄戒O3的内存访问时延低至82ns，超越苹果A19 Pro。其中，顶层金属走线技术在芯片内部建立了数据传输的高架桥，节约了15ns时延。

2026年上半年，长鑫科技营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元；经营活动产生的现金流量净额为1311.56亿元，同比增长2985.64%。

赵纶指出，2022年至2023年上半年，受上游DRAM产品库存水平较高、下游市场需求低迷的影响，DRAM行业处于深度下行周期，行业内企业出现普遍性亏损情况。2025年下半年至今，得益于AI算力需求的快速增长等因素，全球DRAM产品供不应求，价格呈现上涨趋势。展望2026年下半年，公司将继续把握行业发展机遇，依托持续的研发投入与工艺迭代升级，推动产品结构不断优化完善，推动产能利用率保持高位运行，通过前瞻性的布局和准备，提升周期下行时期的抗风险能力。