近日，消息称三星电子已向包括戴尔科技、慧与（HPE）在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器 DRAM 和企业级 NAND 闪存报价提高 15%~20%，而三星第二季度已将其企业级 NAND 闪存涨价 20% 以上。

这已经是三星今年以来的第三次调价。这次涨价，又是为何？

根据集邦咨询统计的2024年第一季度全球DRAM企业营收数据，三星、SK海力士和美光分别以全球存储市场44%、31%、22%的份额，位居前三位，三者共占据全球几乎95%的市场份额。DRAM是存储市场中出货量最大的产品类型，从存储器全品类来看，这三家企业与其他企业间的营收差额也十分悬殊。存储市场具有鲜明的寡头垄断特征。 在这样的情况下，这三家企业的一举一动将直接带来整个存储市场的震动，甚至可传递至与之相关的整个电子产业链。

2024年第一季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名（单位：百万美元）

（数据来源：集邦咨询，《中国电子报》整理）

三家存储原厂曾减产抬价

长期以来，通过调控产能的方式调整市场价格是这三家企业的惯用手段。而这一方式，也在最近一次存储产品价格波动中展现得淋漓尽致。

2020年下半年开始的芯片短缺，导致三星、SK海力士、美光三大存储原厂大批量备货，以至于在全球存储需求增长见顶之后，三大存储原厂均面临极高的库存水位。

在此背景下，全球三大存储原厂存储器价格从2021年第四季度开始连续8个季度下跌。根据集邦咨询的数据，DRAM价格从2021年第四季度降价3%~8%开始，持续下探，至2022年第四季度达到最高单季度降幅，为20%~25%。

（数据来源：集邦咨询，《中国电子报》整理）

受存储价格下滑影响，三星、SK海力士、美光三家营收备受打击。三星自2022年第二季度开始，营收持续5个季度下滑，至2023年第二季度，营收额相当于2022年第一季度的71.74%；营收利润更是锐减，自2022年第一季度的117.24亿美元，一路降至2023年第一季度的5.02亿美元，同比降低95.72%。美光、海力士营收也在一年之内惨遭“腰斩”，甚至出现营业利润亏损。美光营收自2022年第三季度开始连续3个季度下滑，至2023年第二季度已跌至36.93亿美元，营收利润更是从30亿美元一路下滑到-23亿美元。SK海力士营收自2022年第三季度的10.98万亿韩元（约合86.64亿美元），一路下滑至2023第一季度的5.09万亿韩元（约合39.94亿美元），营收利润也从2022年第二季度的4.19万亿韩元（约合34.02亿美元），下滑至2023年第一季度的-3.402万亿韩元（约合-26.69亿美元）。

为尽快消化库存、摆脱亏损境地，三大存储厂商不约而同地开始减产。三星电子表示，2023年第四季度公司资本开支同比减少25.53%，降至14.0万亿韩元（约合107.19亿美元）；SK海力士表示，2023年公司资本开支同比减少50%，降至9.5万亿韩元（约合72.73亿美元）；美光在2022年11月首次宣布减产并逐步扩大减产幅度。《中国电子报》记者跟踪发现，上述企业减产措施延续了整个2023年。

减产带来的效果很直观地反映到了企业库存、存储价格和营收中。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 在2023年财报说明中表示，客户库存已逐渐恢复至正常水平。

2023年年底，三大存储厂陆续传出将调高2024年第一季度协约价的消息。《中国电子报》记者采访国内某代理商了解到，当时市场需求量并不旺盛，不足以支撑价格增长。当时的价格涨幅多是由三家存储厂主动调价所致。

此次涨价来自HBM需求激增

近日，除三星外，另外两家存储大厂也频频传出涨价消息。SK海力士在5月传出消息称，将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均在15%~20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%~100%不等，下半年涨幅将趋缓。美光在4月已向多数客户提出调升第二季度产品报价，涨幅超过20%，但因中国台湾地震，报价随后暂停。

《中国电子报》记者采访了解到，此次三星等存储大厂调高产品报价的原因，与去年年底存储产品涨价的原因有所不同。去年年末传出的存储产品涨价，一定程度上还是存储芯片原厂主动减产、控价所致，市场需求还没有达到推动存储器全线涨价的程度。而此轮涨价，很大程度上是受市场需求带动。

Gartner副总裁盛陵海在接受《中国电子报》记者采访时表示，近期存储涨价很大程度上是HBM需求激增、供不应求所致。半导体资深人士李国强也向记者表达了类似的观点：“三星去年年底的涨价一定程度上有前期企业主动减产带来的因素，而存储企业调高产品价格是因为AI对硬件的需求正反映在HBM产品上。”

关于AI给存储细分市场带来的需求增长，盛陵海做了进一步的解读。他认为，在NAND Flash方面，大模型对快速读取有较高要求，带动了SSD的需求。此外，HBM正面临供不应求的市场现状，厂商可能就此将DRAM的部分产能转向HBM，但目前HBM产能提升空间主要受限于先进封装的技术瓶颈，因此短期内产能短缺问题可能无法得到有效解决。

除HBM需求增长之外，手机、新能源汽车等大众化存储器的需求拉动也有一定的作用。李国强表示，一方面手机出货量增加，手机对移动DRAM和NAND Flash容量的需求也在增加；另一方面，新能源汽车及自动驾驶功能亦增加了DRAM需求。

记者在采访中了解到，当前在市场回暖的趋势下，存储厂商已经开始逐渐恢复产能。当前存储原厂的产能利用率近90%，相较于去年有超过10%的提升，但尚未达到最大值。