在刚刚过去的4月，台积电、三星、美光接连获得美国政府资金补贴。据不完全统计，已经有7家半导体企业获得美国政府资金补贴。

美国《芯片与科学法案》于2022年8月颁布，计划拨款超过527亿美元资金，用于扶持美国半导体研发、制造和劳动力发展。其中390亿美元作为直接拨款，补贴给半导体生产厂商。

业内人士接受《中国电子报》记者采访时表示，美方对本土芯片产业提供巨额补贴和税收优惠，部分条款逼迫企业弃中就美，具有明显的歧视性，严重违背了市场规律和国际经贸规则，将对全球半导体产业链造成扭曲。

美光获61.4亿美元补贴

当地时间4月25日，美国最大的计算机存储芯片制造商美光科技宣布，将从美国联邦政府获得61.4亿美元的直接资金，用于在纽约建设两座DRAM晶圆厂，在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂。除61亿美元的政府拨款外，美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免，这将为合格的资本投资提供25%的抵免。此外纽约州政府也将提供价值55亿美元的激励措施。

三星获64亿美元补贴

当地时间4月15日，美国商务部宣布，将向三星提供64亿美元的直接补贴，支持该公司在得克萨斯州建设计算机芯片制造和研发产业集群。此外三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预期能够覆盖合规资本支出的25%。

据悉，三星将对其位于得州奥斯汀的原有晶圆厂进行扩建，同时在奥斯汀东北方向的泰勒市新建两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂、一座研发工厂和一座先进封装设施。

台积电获66亿美元补贴

当地时间4月8日，美国商务部宣布，将向台积电（TSMC）发放66亿美元的直接资金补贴，并提供50亿美元的低息政府贷款，用于支持台积电在亚利桑那州新建设三座新的尖端芯片厂。

台积电透露，依进度规划，亚利桑那州首座晶圆厂将于2025年上半年开始生产4纳米制程芯片，第二座厂除了采用3纳米技术，还将于2028年生产采用下一世代纳米片（Nanosheet）晶体管结构的2纳米制程芯片。至于第三座晶圆厂，预计将在21世纪20年代末（2029年至2030年）采用2纳米或更先进的制程技术进行芯片生产。

英特尔获85亿美元补贴

当地时间3月20日，美国商务部和英特尔签署非约束性的初步条款备忘录，拟通过《芯片和科学法案》为英特尔提供85亿美元的直接资金补贴和110亿美元的联邦贷款担保，以推进其在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的商用半导体项目。其中，英特尔在俄亥俄州的新建晶圆厂将耗资逾200亿美元，预计该厂将于2027年或2028年投产。据悉，俄亥俄州的工厂将生产人工智能芯片。

英特尔位于亚利桑那州钱德勒两工厂的建设进展（图片来源：英特尔摄于2024年1月拍摄的视频）

格芯获15亿美元补贴

当地时间2月19日，美国政府表示，将向Global Foundries（格芯）提供15亿美元资金，以支持其在纽约州马尔他兴建新厂，并扩大当地与佛蒙特州伯灵顿（Burlington）既有的生产规模。此外，政府还将提供给格芯16亿美元的贷款，最终带动投资在120亿美元左右。

微芯获1.62亿美元补贴

当地时间1月4日，美国商务部宣布，向Microchip Technology（微芯）提供1.62亿美元的政府补贴，以提高该公司芯片和微控制器（MCU）的产量。据悉，该笔补贴将分为两个部分，第一部分约为9000万美元，用于扩建Microchip Technology在美国科罗拉多州的一家制造工厂，第二部分约为7200万美元，用于扩建在美国俄勒冈州的一家工厂。

责任编辑：夏冬阳