[钉科技报道] 近日，东芝储存公司（Toshiba Memory Corporation）宣布，已经试产成功全球第一个UFS3.0闪存。据了解，这次试产的容量版本有三个，分别为128GB、256GB和512GB。

当下智能手机主流旗舰机型应用的是UFS 2.1规格的闪存芯片。去年年初，UFS 3.0规格正式推出，但芯片迟迟没有实现量产，东芝则打破了僵局。

据了解，从规格上来看，三款闪存芯片基于东芝的96层BiCS4 3D TLC NAND存储器，其理论接口速度为每通道每秒11.6Gbps，在双通道下可以实现23.2Gbps带宽。

东芝方面认为这款新产品最终的顺序读写速度将高达2900MB/s，512GB版本的产品，在顺序读取和写入方面相比东芝的上一代产品性能提升约为70%。

首款采用UFS 3.0闪存的设备预计在今年内上市。

东芝方面尚未透露其UFS 3.0芯片随机读写速度，在智能手机上的应用场景性能提升尚未明确，但是其2900MB/s的顺序读写成绩已经可以媲美采用NVMe协议的固态硬盘，如果可以应用到轻薄本上或可以进一步减少笔记本的厚度和功耗。（钉科技原创，转载务必注明出处“钉科技”）