1月12日，台积电公布了2022年第四季度财务报告，并在法说会上透露，他们的2nm工艺正在积极研发中，预计2025年量产。

与此同时，台积电将在2nm工艺中首次更换晶体管架构，从FinFET转至GAA。这项变动台积电落后了三星3年时间。可以看出，台积电为了保证芯片良率，在更换晶体管架构方面比较保守。

据了解，搭载FinFET架构的台积电初代3nm的良率达到了70%～80%，而搭载GAA架构的三星初代3nm的良率，只有10%～20%。过低的良率导致三星2023年的大部分订单都被台积电抢走，竞争相当激烈。

对于3nm以下工艺制程，GAA工艺架构将是必然之选。随着技术节点的进一步推进，FinFET结构面临越来越大的困难与挑战。该结构的制备工艺十分复杂，会给工艺的稳定性方面带来一定困扰，使漏电问题无法得到有效保障。相比于三面围栅的FinFET结构，GAA技术采用的四面环栅结构，可以更好地抑制漏电流的形成和驱动电流的增大，更有利于实现性能和功耗之间的平衡。

然而，在采用新工艺技术的同时，也会带来一定的风险。“FinFET工艺结构已经在先进集成电路芯片中发展应用了10年之久，可见FinFET技术在各方面已经相对比较成熟，也能够更好地控制成本，而引入GAA之后，在很多技术方面需要进行重新考量，需要花费更多成本来进行研发，这也容易造成芯片成本更高，芯片良率也难以保证。”Gartner研究副总裁盛凌海同《中国电子报》记者说。

预计在台积电2nm量产之时，会迎来新一轮的角逐。首先，台积电计划在2025年的2nm制程工艺上用上GAA晶体管架构，或许也将面临三星同样的瓶颈期，短时间内难以保证稳定的良率。其次，届时，三星在GAA晶体管架构方面应已有了一定的技术积累，有可能在台积电陷入瓶颈期时，挽回此前流失的客户，这或许将给台积电带来更大的挑战。