三星第五代V-NAND闪存开始大规模量产
iMobile手机之家,7月11日消息 日前,作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND,第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口,而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps,相比上一代产品增加40%。可以预见,三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现,而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品。
2018-07-12 08:25:06
来源:手机之家  

iMobile手机之家,7月11日消息  日前,作为闪存巨头的三星官方宣布已经开始大规模生产第五代闪存颗粒——V-NAND,第五代闪存将会首次采用Toggle DDR4.0接口,而内存与闪存间传输速度最高能达到1.4Gbps,相比上一代产品增加40%。

可以预见,三星闪存颗粒的升级将会给之后采用的设备带来更好的表现,而其中就包括我们所期待的新一代旗舰智能手机产品。

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